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mg冰球突破
  • ------热电堆温度传感器
    TO46 封装
    TO39 封装
  • ------碳化硅及晶圆
    碳化硅mg冰球突破
    碳化硅MOS
    碳化硅SBD
    碳化硅晶圆
  • ------通用型mg冰球突破
  • 1路常开及2路常开1a2a
    0~80V
    0~180mA
    200~900mA
    1000~2000mA
    2100~5000mA
    100~250V
    0~180mA
    200~900mA
    1000~2000mA
    2100~5000mA
    300~400V
    0~90mA
    100~180mA
    200~500mA
    600~800V
    0~90mA
    100~180mA
    200~600mA
    1000~1500V
    20~100mA
  • 1路常闭及2路常闭1b2b
    0~80V
    0~180mA
    200~900mA
    1000~2000mA
    2100~5000mA
    100~250V
    0~180mA
    200~900mA
    1000~2000mA
    2100~5000mA
    300~400V
    0~90mA
    100~180mA
    200~600mA
    600~800V
    0~90mA
    100~180mA
    200~600mA
  • 常开常闭双路触点1a1b
    0~60V
    100~500mA
    1000~2000mA
    200~250V
    100~250mA
    350~400V
    50~90mA
    100~200mA
    600V
  • ------栅级驱动光耦
    APPL-P314
    APPL-W314
    APPL-P341
    APPL-W341
    APPL-P343
    APPL-W343
    APPL-P480
    APPL-W480
    APPL-4800
  • ------高速通信光耦
    APPL-2501/APPL-2531
    APPL-2601/APPL-2631
    APPL-0601/APPL-0631
    APPL-M61L/APPL-M75L
    APPL-4502/03/04
  • ------固态继电器光耦
    APH0213/0223
    APH1213/1223
    APH2213/2223
    APH3213/3223
    APH4213/4223
  • ------常用型光耦
    光伏光耦
    ALP-190/ALP-191
    APPL-3902/APPL-3904/APPL-3905/APPL-3906
    APV1121/APV2221
    可控硅光耦
    MOC3020/21/22/23
    MOC3041/42/43
    MOC3051/52/53
    MOC3061/62/63
    MOC3081/82/83
    晶体管光耦
    AFH615A-4
    AFH6156-4
    AFH628A-3
    AFH6286-3
    4N25/4N35
    MOSFET驱动光耦
    APV1122
    APV1123
    APV1124
    APV1125
    光纤耦合器
    光耦系列晶圆
mg冰球突破相关知识
11/10
2023

  国产光耦的崛起  国产光耦在近年来取得了显著的发展,引发了对其是否能够完全替代进口光耦的讨论。光耦作为电子元件,在电气与光学信号传输中扮演着关键角色。国产光耦的崛起,不仅代表了中国电子产业的成熟与创新,还带来了替代进口光耦的潜力。本文将探讨国产光耦是否能够实现完全替代的挑战与机遇。  国产光耦的发展历程  国产光耦自20世纪80年代初引入以来,经历了数十年的不懈努力与发展。中国的光电子技...

11/09
2023

  什么是mg冰球突破?也称之为光隔离器,是只允许单向光通过的无源光器件,在工业领域拥有广泛的应用基础。  一、光设定定义  1、是一种无接触开关,其特点是通过无接触性的光信号控制开关的打开和关闭,从而提高开关的稳定性和可靠性。  2、使用环境要求较高,具有很强的耐高温、耐湿度、耐腐蚀性和耐电磁干扰等特性。  3、工作原理是利用光信号来控制开关的开启和关闭,由外部光发射器产生的光信号通过光耦继...

11/08
2023

  设计输入侧电源时的电流值概念  设计输入侧电源时的烦恼  机械式继电器、MOS FET继电器分别具有不同的特长。  基于对MOS FET继电器所具小型及长寿命、静音动作等优势的需求,目前已经出现了所用机械式继电器向MOS FET继电器转化的趋势。  但是,由于机械式继电器与MOS FET继电器在产品结构上完全不同,所以设计时需注意的要领也自然不同。  机械式继电器通过施加线圈电压进行驱动...

11/07
2023

  简介:在电气工程领域,固态技术的发展为各个领域的显着进步铺平了道路。固态继电器(SSR)就是其中一项备受关注的创新。与传统机电继电器不同,SSR采用固态元件,具有许多优点,例如更高的可靠性、更快的响应时间和增强的安全功能。本文深入探讨了固态继电器的迷人世界,探讨了它们的应用、优势以及它们对现代电气系统的变革性影响。  固态继电器的兴起:  固态继电器因其独特的设计和无与伦比的性能而成为电...

11/06
2023

  mg电子老虎机体育真人继电器是电路中的无名英雄,正在改变我们实现电气安全和控制的方式。这些卓越的设备(也称为光电耦合器继电器)由于其在电气隔离电路上传输信号和功率的独特能力而在各个行业中广受欢迎。今天,我们深入探讨mg电子老虎机体育真人继电器背后的魔力,揭示其工作原理、应用以及它们带来的无数好处。  mg电子老虎机体育真人继电器的核心依赖于光和半导体之间令人着迷的相互作用。它们由封装在紧凑封装内的发光二极管(LED)和光敏半导体...

11/03
2023

  隔离接口IC在确保各种电子系统中的信号完整性和安全性方面发挥着至关重要的作用。在不同类型的隔离接口IC中,mg电子老虎机体育真人和数字隔离器是两种流行的选择。在本文中,我们将比较这两类隔离接口IC,探讨它们的工作原理、优点和应用。  工作原理:  mg电子老虎机体育真人也称为光隔离器,使用光信号跨隔离栅传输数据。它们由一个发光的输入LED和一个输出侧的光电探测器组成,该光电探测器可感应光并生成电信号。输入侧和输出侧...

11/02
2023

  固态光耦概述及其重要性  固态光耦是一种电子元件,具有独特的光电隔离功能,广泛应用于电气控制、通信和电力系统等领域。本文将深入探讨固态光耦的特点和优势,介绍它在市场中的重要性以及如何提高收录和首页排名。  高速、高精度的信号传输  固态光耦的一大特点是高速、高精度的信号传输能力。它能够将电路之间的信号转换为光信号,并通过光电隔离技术实现信号的传输。相比传统的电气隔离器件,固态光耦具有更快...

11/01
2023

  mg冰球突破是一种常用的电子元件,用于实现电气隔离和信号传输。在工业控制、自动化系统和电力电子等领域,mg冰球突破具有独特的特点和优势。本文将从可靠性、隔离性、响应速度和适应性等方面对mg冰球突破的特点进行概述。  mg冰球突破是一种典型的固态继电器,采用了光电耦合原理。通过输入端的控制信号,mg冰球突破可以实现输入与输出之间的电气隔离。这种隔离结构确保了信号传输的可靠性和安全性,有效地解决了电路...

10/31
2023

  本文将深入探析光耦固态继电器的特点,揭示其在产品工程领域的重要性。通过详细介绍其可靠性、高速开关、绝缘性和应用优势,我们将展示光耦固态继电器在电气控制和电子设备中的独特价值。  一、光耦固态继电器的特点  光耦固态继电器是一种具有以下关键特点的电子元件:  1.可靠性:光耦固态继电器采用固态元件替代传统继电器中的机械触点,因此具有更高的可靠性和耐久性。它们不易受到物理磨损和电气击穿的影响...

10/30
2023

  固态继电器(SolidStateRelay,缩写SSR),是由微电子电路,分立电子器件,电力电子功率器件组成的无触点开关。用隔离器件实现了控制端与负载端的隔离。固态继电器的输入端用微小的控制信号,达到直接驱动大电流负载。  固态继电器(SSR)因其显着的优势和多样化的应用而成为现代电子和控制系统的首选。在本文中,我们将探讨SSR的突出特点及其优势,这些功能和优势使它们成为许多应用的首选,...

10/27
2023

光耦是一种将电路隔离的器件,它可以使电子设备在保证电路安全的前提下进行数据传输和控制。今天弗瑞鑫将详细介绍光耦的工作原理、应用场景、分类与优缺点。  一、工作原理  1、光耦由发光二极管(简称LED)和光敏二极管(简称PD)组成。当LED端加上正电压时,LED产生相应颜色的光线。当LED端加上0V时,LED暂停工作,不发出光线。  2、当光线到达PD时,PD产生反向电流即电压。这样,LE...

10/26
2023

  随着科技的发展和智能化的进步,光电耦合器逐渐成为了各行业所必需的关键部件。目前,市场上的光电耦合器产品种类繁多,包括晶体管输出光耦、光电继电器、可控硅输出光耦、高速光耦、达林顿、IGBT驱动光耦等产品。这些产品广泛应用于智能家居、移动互联、智能仪表、智能汽车、医疗设备、工业控制、消费类及工业级产品领域等,为各行业提供完善服务。  晶体管输出光耦  晶体管输出光耦是一种常见的光电耦合器,它...

10/25
2023

  在智能制造时代的背景下,国产光耦作为一种关键电子器件,在各个行业的应用领域逐渐扩大。本文将从工业控制、智能家居、光伏领域等角度,探讨国产光耦在应用中的发展趋势,以及其在推动技术创新和产业升级方面的重要作用。  国产光耦在工业控制领域的应用趋势正在加速发展。随着工业自动化程度的提高,mg冰球突破作为电气隔离器件广泛应用于传感器信号隔离、PLC控制以及仪表仪器等领域。国产光耦凭借其优异的性能、...

10/24
2023

  在现代电气控制系统中,固态继电器作为一种重要的电子器件,具有许多独特的特点和优势。本文将从可靠性、高效性、响应速度和适应性等角度,概述固态继电器的特点,揭示其在电气控制领域中的重要作用。  固态继电器具有出色的可靠性,是其最突出的特点之一。相较于传统的机械继电器,固态继电器没有机械零部件,因此在使用过程中不易受到振动、冲击等外力的影响,减少了机械故障的风险。此外,固态继电器的寿命远远超过...

10/23
2023

  隔离驱动芯片在现代电子产品中扮演着至关重要的角色。它是一种专门设计用于电气隔离的集成电路芯片,能够保护信号传输过程中的安全性和稳定性。本文将介绍隔离驱动芯片的工作原理、应用领域以及其在产品设计中的重要性。  隔离驱动芯片是一种将输入和输出端口完全隔离的器件。它通常由两个部分组成:输入端和输出端。输入端负责接收来自信号源的输入信号,并将其转换为适合输出端的电信号。输出端则将这些电信号转换为...

10/20
2023

  国产固态光耦是一种具有独特优势的国内生产的固态光耦产品。它在电气隔离和信号传输领域具有广泛应用,并在国内市场上取得了巨大成功。本文将详细分析国产固态光耦的优势和其在产品工程中的重要作用。  国产固态光耦是一种电气隔离器件,基于发光二极管(LED)和光敏二极管(光电晶体管)的技术原理,用于隔离输入和输出端之间的电信号。相比传统的光耦(如液态光耦),国产固态光耦具有许多独特优势。  首先,国...

10/19
2023

  高速光耦作为一种关键的电子元件,具有广泛的应用范围和诸多优势。本文将探讨高速光耦的应用优势,并详细分析其在现代科技领域中的重要性和潜力。  高速光耦在现代科技领域中扮演着重要的角色。首先,高速光耦具有高传输速率的优势。光耦利用光信号进行数据传输,相比传统的电信号传输,具有更高的传输速率和更低的延迟。这使得高速光耦在需要快速和高效数据传输的领域,如通信、计算机网络和数据中心等方面具备巨大潜...

10/18
2023

  光电耦合器是一种重要的电子元件,具有广泛的应用领域和多项优势。本文将详细分析光电耦合器的工作原理以及其在现代科技中的应用,并探索其潜力和未来发展方向。  一、光电耦合器的工作原理  光电耦合器是一种能够将光电转换过程实现耦合的器件。光电耦合器主要由发光二极管(Light Emitting Diode,简称LED)和光敏三极管(Phototransistor)组成。  光电耦合器的工作原理...

10/16
2023

  mg电子老虎机体育真人是一种在现代科技中发挥关键作用的设备,其应用领域横跨通信、医疗、工业等多个行业。mg电子老虎机体育真人通过巧妙地将光电子器件结合起来,实现了光与电的高效转换和传输,为光电子领域的发展提供了强大的支持。  mg电子老虎机体育真人是什么  mg电子老虎机体育真人是一种用于隔离、耦合和传输光信号的器件。其主要功能是将一个光学系统的光信号转换成电信号,或者将电信号转换为光信号,以实现光与电之间的高效转换。在各类光电子设备中,光耦...

10/13
2023

  高速光耦作为一种关键的电子元件,具有广泛的应用范围和诸多优势。本文将探讨高速光耦的应用优势,并详细分析其在现代科技领域中的重要性和潜力。  高速光耦在现代科技领域中扮演着重要的角色。首先,高速光耦具有高传输速率的优势。光耦利用光信号进行数据传输,相比传统的电信号传输,具有更高的传输速率和更低的延迟。这使得高速光耦在需要快速和高效数据传输的领域,如通信、计算机网络和数据中心等方面具备巨大潜...

Structure and operational principle of Photrelays

Product line up

A PhotoRelays is a semiconductor relay with an LED as an input and MOSFET as an output.
It is used in various fields to improve device reliability and reduce size.






  • img01.jpg


  • (1)LED (light emitting diode)

  • (2)Photodiode dome array (PDA)

  • (3)MOS FET





、img02.jpg



  • (1)The LED lights when the current is connected at the input side.

  • (2)The light sent by the LED will be converted into voltage again when it is received by the photodiode .

  • (3)This voltage will be a gate voltage to drive MOS FET via control circuit.



Advantages of PhotoRelays


Obviously the PhotoRelays differ from the conventional electro-mechanical relays.
PhotoRelays are classified to semiconductor relays that have no moving contact, therefore they are superior to conventional electro-mechanical relays in life-expectance and reliability of contacts, operation speed, and their sizes.

But they also distinguish themselves from other switching solutions that utilize photo-couplers, photo-transistors etc.. PhotoRelays have MOSFET for output, therefore they are the most suitable devices for small analog signal switching.


Compared with Electro-Mechanical Relays
have moving contact:
Compared with SSR (Solid State Relays)
have phototriac for output:
●Longer lifetime (No limit on mechanical and electrical lifetime)
●Higher-speed and high-frequency switching
●Higher sensitivity (less power consumption)
●Smaller size
●Less contact problems such as arcs, bounce, and noise
●More resistant to vibration and impact
●No limitation for the mounting direction
●Able to control miniature analog signal
●Applicable to both AC/DC
●More sensibility
●Less leakage current
●Lower offset voltage
●Various contact structures such as 2a, 4a, 1b, 2b, and 1a1b in addition to 1a


PhotoRelays Technical Terminology


1.Technical Terminology

2.Reliability tests


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Term
Symbol
Description

Input
LED forward current
I F
Current that flows between the input terminals when the input diode is forward biased.

LED reverse voltage
V R
Reverse breakdown voltage between the input terminals.

Peak forward current
I FP
Maximum instantaneous value of the forward current.

LED operate current
I Fon
Current when the output switches on (by increasing the LED current) with a designated supply voltage and load connected between the output terminals.

LED turn off current
I Foff
Current when the output switches off (by decreasing the LED current) after operating the device with a designated supply voltage and load connected between the output terminals.

LED dropout voltage
V F
Dropout voltage between the input terminals due to forward current.

Power dissipation
P in
Allowable power dissipation between the input terminals.
Output
Load voltage
V L
Supply voltage range at the output used to normally operate the PhotoRelays. Represents the peak value for AC voltages.

Continuous load current
I L
Maximum current value that flows continuously between the output terminals of the PhotoRelays under designated ambient temperature conditions. Represents the peak value for AC current.

On resistance
R on
Obtained using the equation below from dropout voltage V DS
(on) between the output terminals (when a designated LED current is made to flow through the input terminals and the designated load current through the output terminals.)
R on
= V
DS
(on)/I
L

Off state leakage current
I Leak
Current flowing to the output when a designated supply voltage is applied between the output terminals with no LED current flow.

Power dissipation
P out
Allowable power dissipation between the output terminals.

Open-circuit output voltage
V oc
Voltage required for driving a MOSFET

Short-circuit current
I sc
Current that is output from the driver when the input is turned on
Electrical characteristics
Turn on time
T on
Delay time until the output switches on after a designated LED current is made to flow through the input terminals.

Turn off time
T off
Delay time until the output switches off after the designated LED current flowing through the input terminals is cut off.

I/O capacitance
C iso
Capacitance between the input and output terminals.

Output capacitance
C out
Capacitance between output terminals when LED current does not flow.

I/O isolation resistance
R iso
Resistance between terminals (input and output) when a specified voltage is applied between the input and output terminals.

Total power dissipation
P T
Allowable power dissipation in the entire circuit between the input and output terminals.

I/O isolation voltage
V iso
Critical value before dielectric breakdown occurs, when a high voltage is applied for 1 minute between the same terminals where the I/O isolation resistance is measured.
Ambient temperature
Operating
T opr
Ambient temperature range in which the PhotoRelays can operate normally with a designated load current conditions.

Storage
T stg
Ambient temperature range in which the PhotoRelays can be stored without applying voltage.
Max. operating frequency

Max. operating frequency at which a PhotoRelays can operate normally when applying the specified pulse input to the input terminal



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Classification
Item
Condition
Purpose
Life tests
High temperature storage test
T stg
(Max.)
Determines resistance to long term storage at high temperature.

Low temperature storage test
T stg
(Min.)
Determines resistance to long term storage at low temperature.

High temperature and high humidity storage test
85°C
185°F , 85%R.H.
Determines resistance to long term storage at high temperature and high humidity.

Continuous operation life test
V L
= Max., I
L
= Max.,
I F
= Recommended LED forward current
Determines resistance to electrical stress (voltage and current).
Thermal environment tests
Temperature cycling test
Low storage temperature (T stg
Min.)
High storage temperature (T stg Max.)
Determines resistance to exposure to both low temperatures and high temperatures.

Thermal shock test
Low temperature (0°C)
(32°F) , High temperature (100°C)
(212°F)
Determines resistance to exposure to sudden changes in temperature.

Solder burning resistance
260±5°C
500±41°F , 10 s
Determines resistance to thermal stress occurring while soldering.
Mechanical environment tests
Vibration test
196 m/s 2
{20 G}, 100 to 2,000 Hz*1
Determines the resistance to vibration sustained during shipment or operation.

Shock test
9,800 m/s 2
{1,000 G} 0.5 ms*2;
4,900 m/s 2
{500 G} 1 ms
Determines the mechanical and structural resistance to shock.

Terminal strength test
Determined from terminal shape and cross section
Determines the resistance to external force on the terminals of the PhotoRelays mounted on the PC board while wiring or operating.

Solderability
245°C
473°F
3 s (with soldering flux)
Evaluates the solderability of the terminals.


*1 10 to 55 Hz at double amplitude of 3 mm for Power PhotoRelays. *2 4,900 m/s 2 , 1 ms for Power PhotoRelays.



mg冰球突破 是固态继电器的一种。英文是Solid State Optronics Relay。


一般继电器都是机械触点,靠通电流过线圈变成有磁性的磁铁吸合触点,从而控制开光状态。而mg冰球突破工作原理类似于光耦,是由微电子电路,分立电子器件,电力电子功率器件组成的无触点开关。用隔离器件实现了控制端与负载端的隔离。固态继电器的输入端用微小的控制信号,达到直接驱动大电流负载。mg冰球突破归于 固态继电器 ,一般电磁继电器靠电流经过线圈使铁芯变成有磁性的磁铁吸合衔铁,从而使相关的触点动作操控负载的通断,而mg冰球突破没有触点,其工作原理与光耦有点类似。mg冰球突破为AC/DC并用的半导体继电器,指发光器件和受光器件一体化的器件。输入侧和输出侧电气性绝缘,但信号可以通过光信号传输。其内部的发光二极管是用来向光电元件放射光线的,光电元件接受光线并控制输出场效应管导通或截止。mg冰球突破还有另一种可控硅整流管(SCR)输出,它的负载电流比场效应管更大,后者可达到数安培,而前者可达到几十安培。相对于电磁继电器,mg冰球突破由于没有触点引起的磨损,使用寿命是无限的,同时也具有无震动、无切换声音等特性,与电磁继电器一样可控制各种负载(灯泡、发光二极管、加热器、马达等)。


mg冰球突破有无机械触点,长寿命,低动作电流,高隔离电压,高速切换。低泄漏电流,交直流兼用。广泛用于测量仪器,通讯设备,办公自动化。在选用继电器时,最重要的指标是所选继电器的触点电流和电压,以及控制继电器导通开断的信号的电流和电压大小。在使用时,小功率的继电器一般直接焊接在电路板上,中大功率的继电器一般会安装在继电器座上,依据需要冉将继电器座安装在标准导轨上。由于继电器容易产生火花,因此在较大的功率的时候,建议考虑使用固态继电器、交流接触器等。通信用继电器将在今后继续增长,占到全球继电器市场的1/4。高频继电器是其发展的主要方向,在电信领域、无线通信、宽带输送接入等需求的推动下,已成为机电式继电器更新换代的新平台和下一代通信技术加速完善的助推器。体积更小,适用于表面装贴,高可靠,抗干扰性能优良的通信继电器需求旺盛;未来5G发展所需用的新型通信继电器将成为其发展主流。第四代通信继电器技术已日渐成熟,第三代移动通信的展开,为其提供良好的市场前景。光继电器/微电子继电器是电子产品向数字化、自动化、超小型化方向发展所必需的。


光继电器/微电子继电器由于其泄露率小、隔离性能好、输出特性稳定优良等优点,其应用领域在不断扩大。适用于“物联网”的光继电器由于其高灵敏性、高可靠性而成为优选产品,将会是下一代继电器发展的重要方向。



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