产品编号检索/替代型号参数查询
mg冰球突破
  • ------热电堆温度传感器
    TO46 封装
    TO39 封装
  • ------碳化硅及晶圆
    碳化硅太阳城线上娱乐注册
    碳化硅MOS
    碳化硅SBD
    碳化硅晶圆
  • ------通用型太阳城线上娱乐注册
  • 1路常开及2路常开1a2a
    0~80V
    0~180mA
    200~900mA
    1000~2000mA
    2100~5000mA
    100~250V
    0~180mA
    200~900mA
    1000~2000mA
    2100~5000mA
    300~400V
    0~90mA
    100~180mA
    200~500mA
    600~800V
    0~90mA
    100~180mA
    200~600mA
    1000~1500V
    20~100mA
  • 1路常闭及2路常闭1b2b
    0~80V
    0~180mA
    200~900mA
    1000~2000mA
    2100~5000mA
    100~250V
    0~180mA
    200~900mA
    1000~2000mA
    2100~5000mA
    300~400V
    0~90mA
    100~180mA
    200~600mA
    600~800V
    0~90mA
    100~180mA
    200~600mA
  • 常开常闭双路触点1a1b
    0~60V
    100~500mA
    1000~2000mA
    200~250V
    100~250mA
    350~400V
    50~90mA
    100~200mA
    600V
  • ------栅级驱动光耦
    APPL-P314
    APPL-W314
    APPL-P341
    APPL-W341
    APPL-P343
    APPL-W343
    APPL-P480
    APPL-W480
    APPL-4800
  • ------高速通信光耦
    APPL-2501/APPL-2531
    APPL-2601/APPL-2631
    APPL-0601/APPL-0631
    APPL-M61L/APPL-M75L
    APPL-4502/03/04
  • ------固态继电器光耦
    APH0213/0223
    APH1213/1223
    APH2213/2223
    APH3213/3223
    APH4213/4223
  • ------常用型光耦
    光伏光耦
    ALP-190/ALP-191
    APPL-3902/APPL-3904/APPL-3905/APPL-3906
    APV1121/APV2221
    可控硅光耦
    MOC3020/21/22/23
    MOC3041/42/43
    MOC3051/52/53
    MOC3061/62/63
    MOC3081/82/83
    晶体管光耦
    AFH615A-4
    AFH6156-4
    AFH628A-3
    AFH6286-3
    4N25/4N35
    MOSFET驱动光耦
    APV1122
    APV1123
    APV1124
    APV1125
    光纤耦合器
    光耦系列晶圆

mg电子老虎机 碳化硅功率器件在新能源汽车领域的应用有哪些?

发表时间:2023-09-04 17:20 作者:碳化硅功率器件选型工程师

  随着新能源汽车的快速发展,碳化硅功率器件在新能源汽车领域中的应用也越来越多。碳化硅功率器件相比传统的硅功率器件具有更高的工作温度、更高的能耗效率、更高的开关速度和更小的尺寸等优点,因此在新能源汽车领域中得到了广泛的应用。本文将从AD820ARZ碳化硅功率器件的基本原理、优势及应用等方面进行分析。


  一、碳化硅功率器件的基本原理


  碳化硅功率器件是由碳化硅材料制成的半导体器件,它的工作原理与传统的硅功率器件基本相同,只是在材料上有所不同。碳化硅功率器件中的主要器件有MOSFET、JFET、BJT和Schottky二极管等,其中MOSFET是应用最广泛的。


  在MOSFET中,碳化硅材料分为N型和P型两种,通过掺杂可以得到不同的电导率类型。MOSFET中的栅极是用金属制成的,而源极和漏极是用N型或P型碳化硅材料制成的。当在栅极上加上正电压时,MOSFET中形成了电子气体,使得源极和漏极之间形成了一个导通的通道。当在栅极上施加负电压时,电子气体消失,源极和漏极之间的通道断开,MOSFET进入截止状态。

u_1171217500_2935450183_fm_253_fmt_auto_app_138_f_JPEG.jpg

  二、碳化硅功率器件的优势


  1、高工作温度


  碳化硅功率器件可以在高温环境下正常工作,其工作温度可以高达300℃以上。在新能源汽车领域中,碳化硅功率器件可以承受高温环境下的工作,从而保证了电动汽车的稳定性和可靠性。


  2、高能耗效率


  碳化硅功率器件的能耗效率比传统的硅功率器件高,可以达到90%以上。碳化硅功率器件的高能耗效率可以减少电能的损耗,提高电动汽车的续航里程和性能。


  3、高开关速度


  碳化硅功率器件的开关速度比传统的硅功率器件快,可以达到100倍以上。碳化硅功率器件的高开关速度可以减少电能的损耗,提高电动汽车的性能和效率。


  4、小尺寸


  碳化硅功率器件的体积比传统的硅功率器件小,可以达到原来的1/3左右。碳化硅功率器件的小尺寸可以提高电动汽车的能源密度,从而减少电动汽车的重量和体积。


  三、碳化硅功率器件在新能源汽车领域的应用


  1、电机驱动系统


  碳化硅功率器件可以用于电机驱动系统中,可以提高电机的效率和性能,从而提高电动汽车的性能和续航里程。


  2、充电系统


  碳化硅功率器件可以用于充电系统中,可以提高充电效率和速度,从而缩短电动汽车的充电时间。


  3、电池管理系统


  碳化硅功率器件可以用于电池管理系统中,可以提高电池的充电和放电效率,从而延长电池寿命。


  4、辅助电源系统


  碳化硅功率器件可以用于辅助电源系统中,可以提高辅助电源的效率和性能,从而提高电动汽车的性能和可靠性。


  总之,碳化硅功率器件在新能源汽车领域中的应用前景广阔。随着碳化硅功率器件技术的不断发展和应用,它将成为新能源汽车领域中的重要支撑技术,为电动汽车的发展和普及提供了强有力的支持。


  无锡国晶微半导体技术有限公司是宽禁带第三代半导体碳化硅SiC功率器件、氮化镓GaN光电器件以及常规集成电路研发及产业化的高科技创新型企业,从事碳化硅场效应管,碳化硅肖特基二极管、GaN光电太阳城线上娱乐注册、单片机集成电路等产品芯片设计、生产与销售并提供相关产品整体方案设计配套服务,总部位于江苏省无锡市高新技术开发区内,并在杭州、深圳和香港设有研发中心和销售服务支持中心及办事处。


  公司具有国内领先的研发实力,专注于为客户提供高效能、低功耗、低阻值、品质稳定的碳化硅高低功率器件及光电集成电路产品,同时提供一站式的应用解决方案和现场技术支持服务,使客户的系统性能优异、灵活可靠,并具有成本竞争力。


  公司的碳化硅功率器件涵盖650V/2A-100A,1200V/2A-90A,1700V/5A-80A等系列,产品已经投入批量生产,产品完全可以对标国际品牌同行的先进品质及水平。先后推出全电流电压等级碳化硅肖特基二极管、通过工业级、车规级可靠性测试的碳化硅MOSFET系列产品,性能达到国际先进水平,应用于太阳能逆变电源、新能源电动汽车及充电桩、智能电网、高频电焊、轨道交通、工业控制特种电源、国防军工等领域。由于其具有高速开关和低导通电阻的特性,即使在高温条件下也能体现优异的电气特性,大幅降低开关损耗,使元器件更小型化及轻量化,效能更高效,提高系统整体可靠性,可使电动汽车在续航里程提升10%,整车重量降低5%左右,并实现设计用充电桩的高温环境下安全、稳定运行。


  特别在高低压光耦半导体技术方面更是拥有业内领先的研发团队。在国内创先设计开发了28nm光敏光栅开关PVG芯片技术,并成功量产应用于60V、400V、600V高低压、低内阻、低电容的光电耦合继电器芯片、涵盖1500kVrms SOP超小封装及3750kVrms隔离增强型常规SMD、DIP等不同封装,单路、双路、混合双路、常开常闭等电路产品,另包括200V SOI MOS/LIGBT集成芯片、100V CMOS/LDMOS集成芯片、8bit及32bit单片机等集成电路产品,均获得市场及各重点科研单位、检测机构的新产品认定。


  公司核心研发团队中大部分工程师拥有硕士及以上学位,并有多名博士主持项目的开发。公司建立了科技创新和知识产权管理的规范体系,在电路设计、半导体器件及工艺设计、可靠性设计、器件模型提取等方面积累了众多核心技术,拥有多项国际、国内自主发明专利。


  “国之重器,从晶出发,自强自主,成就百年”是国晶微半导体的企业目标,我们为员工提供精彩的发展空间,为客户提供精良的产品服务,我们真诚期待与您携手共赢未来。

会员登录
登录
其他账号登录:
我的资料
留言
回到顶部